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型號(hào):
HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

描述:系統(tǒng)組成:HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測(cè)試源表,配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡,極大提高了樣品的供電電流和測(cè)試樣品的霍爾電壓的量程和精度,寬電流供電和寬電壓測(cè)試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導(dǎo)體器件。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、

  • 廠商性質(zhì)

    生產(chǎn)廠家
  • 更新時(shí)間

    2025-04-22
  • 訪問量

    165
詳細(xì)介紹
品牌其他品牌產(chǎn)地類別國(guó)產(chǎn)
應(yīng)用領(lǐng)域環(huán)保,能源,電子/電池,綜合

關(guān)鍵詞:濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù),半導(dǎo)體

HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)


系統(tǒng)組成:HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)本儀器系統(tǒng)由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、矩陣卡、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、系統(tǒng)軟件組成。本套系統(tǒng)測(cè)試應(yīng)用的是最新的KEITHLEY 進(jìn)口測(cè)試源表,配合配套的低延遲寬帶寬的矩陣卡,極大提高了樣品的供電電流和測(cè)試樣品的霍爾電壓的量程和精度,寬電流供電和寬電壓測(cè)試范圍可以覆蓋市面上絕大多數(shù)的半導(dǎo)體器件。用于測(cè)量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù),而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的,因此霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到,可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度 (Sheet Carrier Concentration)、遷移率 (Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻 (Magnetoresistance)等等。

系統(tǒng)參數(shù):

我們可提供各類霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)用于教學(xué)和研究

HEM-200 高低溫霍爾效應(yīng)測(cè)試系統(tǒng)

可測(cè)試材料:

物理學(xué)參數(shù)

載流子濃度(Carrier Density)

103cm-3~ 1023cm-3

遷移率(Mobility)

0.1cm2/volt*sec ~108cm2/volt*sec

電阻率范圍(Resistivity)

10-70hm*cm~ 10100hm*cm

霍爾電壓(Hall voltage)

10nV~ 200V

霍爾系數(shù)

±10-5~ 1027cm-3/C

可測(cè)試材料類

半導(dǎo)體材料

SiGe,SiC,InAs,InGaAs,InP,AlGaAs,HgCdTe 和鐵氧體材料等

低阻抗材料

石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等

高阻抗材料

半絕緣的 GaAs,GaN,CdTe 等

材料導(dǎo)電粒子

材料的P型與N型測(cè)試


磁鐵類型

磁場(chǎng)可變電磁鐵

磁場(chǎng)環(huán)境

磁場(chǎng)大小

2000mT(極頭間距為:10mm)

1500mT(極頭間距為:20mm )

1000mT(極頭間距為:30mm )

800mT(極頭間距為:40mm)

600mT(極頭間距為:50mm)

霍爾效應(yīng)測(cè)試磁場(chǎng)

霍爾效應(yīng)中極頭間距為 30mm,此時(shí)磁場(chǎng)最大為1000mT

均勻區(qū)

1%

最小分辨率

0.1Gs


可選磁環(huán)境

可根據(jù)客戶需求定制相關(guān)磁性大小的電磁鐵

電學(xué)參數(shù)

電流源

±0.1nA—±1000mA

電流源分辨率

0.01nA

測(cè)量電壓

±10nV—±200V

溫度環(huán)境


80K~500K

控溫精度

0.1K


其他配件

遮光性

外部安裝遮光部件,使得測(cè)試材料更加穩(wěn)定

樣品尺寸

10mm*10mm(標(biāo)準(zhǔn))

16mm*16mm(最大)

箱式機(jī)柜

600*600*1000mm

測(cè)試樣片

提供中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體所霍爾效應(yīng)

標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試樣片及數(shù)據(jù):1 套

(硅、鍺、砷化鎵、銻化銦)

制作歐姆接觸

電烙鐵、銦片、焊錫、漆包線等



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